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Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Características
| Voltaje máximo en inversa (Vrm): | 45V |
| Corriente de salida rectificada (Io): | 50 mA |
| Montaje: | SMD |
| Empaquetado: | LL-34 |
| Temperatura de trabajo: | -55º C a 150º C |
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Monofásico
Tipo de encapsulado:
KBPC
Tipo de diodo:
Conexión de silicioCorriente directa media de pico (If):
35 ATensión repetitiva inversa de pico (Vrrm):
1000 VTensión máxima de entrada del puente (Vrms):
700 VTensión máxima de bloqueo (Vdc):
1000 VMáxima corriente de sobretensión (Ifsm):
400 ATemperatura de trabajo:
-55º C a 150º C
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