$2,00
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
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Tensión puerta-fuente
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Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC
Video Explicativo del Mosfet 520n
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Es un componente eléctrico semiconductor (diodo) que es capaz de emitir luz al ser atravesado por una corriente pequeña. Las siglas “LED” provienen del inglés “Light Emitting Diode”, que traducido al español es “Diodo Emisor de Luz”. En especifico este led IR emite una luz en el espectro infrarrojo, la cual el ojo humano no puede ver.
Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz.
¿Para qué sirven leds infrarrojos?
Se utilizan en conjunto en muchos dispositivos electrónicos como pueden ser: Juguetes, Sensores de movimiento o aproximación, robots , carritos seguidores de línea, televisores controles remotos, etc.
¿Cómo funcionan en conjunto?
Si se aplica una tensión adecuada a las terminales del Led IR, este emitirá una luz infrarroja, la cual puede ser detectada por el fotodiodo, este lo llevara al estado de circulación de corriente-voltaje, y así usar el flujo de corriente y variación de voltaje de varias maneras, las mas comunes son, la detección de movimiento o aproximación de un objeto externo, o de obstruir la luz infrarroja que recibe el fotodiodo, esto puede ser traducido en información para determinados procesos.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
Led IR transparente (Transmisor)
- Voltaje típico de trabajo:1.2 a 1.5 volts
- Corriente típica:20mA
- Longitud de onda:940nm
- Ángulo de visión:45°
- Número de pines: 2
- Diámetro de encapsulado: 5mm
- Material de Shell: Epóxico
Conexión :
- Terminal corta V(-) Cátodo
- Terminal larga v(+) Ánodo
Fotodiodo Negro (Receptor)
- Voltaje típico de trabajo inverso : 1.3 volts
- Corriente típica: 20mA
- Longitud de onda: 980nm
- Ángulo de visión:30°
- Número de pines: 2
- Diámetro de encapsulado: 5mm
- Material de Shell: Epóxico
Conexión :
- Terminal corta: Cátodo
- Terminal larga: Ánodo
TUTORIALES
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
INFORMACIÓN ADICIONAL
¿Cuál es la diferencia entre un fotodiodo y un fototransistor?
1. El fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la energía de la luz en una corriente eléctrica. Considerando que, el fototransistor utiliza el transistor para la conversión de energía de la luz en una corriente eléctrica.
El símbolo en diagrama del fotodiodo se muestra en la siguiente figura. La flecha muestra el terminal positivo del fotodiodo y la base muestra el terminal negativo del diodo.
2. El fototransistor genera corriente, mientras que el fotodiodo produce tanto la tensión como la corriente.
El símbolo en diagrama del fototransistor se muestra en la siguiente figura. La flecha muestra la energía de la luz incidente en su superficie base
3. La respuesta del fotodiodo es mucho más rápida que la del fototransistor.
4. El fotodiodo es menos sensible en comparación con el fototransistor porque el fototransistor produce la gran corriente de salida.
5. El fotodiodo funciona tanto en la parte delantera como en la trasera como polarización inversa, mientras que el fototransistor funciona en polarización directa. El emisor del fototransistor es negativo en comparación con la región del colector.
6. El fotodiodo se utiliza en la planta de energía solar, en un medidor de luz, etc., mientras que el fototransistor se utiliza para detectar la luz.
Conclusión
El fotodiodo y el fotodiodo convierten ambosEnergía de la luz en energía eléctrica. Pero el fototransistor es más sensible en comparación con el fotodiodo debido al uso del transistor. El transistor amplifica la corriente de base que causa la absorción de la luz y, por lo tanto, la gran corriente de salida se obtiene a través del terminal colector. La respuesta de tiempo del fotodiodo es mucho más rápida que la del fototransistor, y por lo tanto se utiliza en el circuito donde la fluctuación ocurre.
ENLACES EXTERNOS
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El Módulo Sensor De Obstáculos Reflectivo Infrarrojo FC-51 es un dispositivo optoelectrónico activo capaz de medir proximidad por infrarrojo IR, esta compuesto por un transmisor que emite energía infrarroja IR y un receptor que detecta la energía IR reflejada por la presencia de cualquier obstáculo en la parte frontal del módulo. El sensor puede ser usado con luz ambiente o en la obscuridad.
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Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
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Transistores de potencia disponible en TIP31C NPN y TIP32C PNP, ambos tienen un encapsulado de plástico TO-220, estos transistores son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, de acuerdo a tu proyecto podrás elegir uno de estos transistores.
¿Para que sirve Transistor TIP31C y TIP32C?
transistores sirven para aplicaciones de audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
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El BC558 es un transistor bipolar PNP de alta calidad para aplicaciones generales, desarrollado por la Philips y la Mullard. Este transistor es parte de una familia de transistores con características casi iguales que son los BC556, BC557, BC559 y BC560 y son complementarios de los BC548 y la respectiva familia.
La diferencia entre los distintos modelos es la tensión máxima de trabajo como explicaré en el siguiente párrafo. Además, el BC559 y el BC560 tienen un muy bajo nivel de ruido y son usados con señales débiles de audio en sistemas de alta fidelidad. Para simplificar la explicación usaré el nombre BC55x cuando me refiero a todos los miembros de la familia
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