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Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Características
| Voltaje máximo en inversa (Vrm): | 45V |
| Corriente de salida rectificada (Io): | 50 mA |
| Montaje: | SMD |
| Empaquetado: | LL-34 |
| Temperatura de trabajo: | -55º C a 150º C |
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Tipo de puente: Monofásico Tipo de encapsulado: KBPC Tipo de diodo: Conexión de silicio Corriente directa media de pico (If): 25 A Tensión repetitiva inversa de pico (Vrrm): 600 V Tensión máxima de entrada del puente (Vrms): 420 V Tensión máxima de bloqueo (Vdc): 600 V Máxima corriente de sobretensión (Ifsm): 300 A Temperatura de trabajo: -55º C a 150º C
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