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FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC -
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