$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Productos relacionados
-
$6,00Vista rápidaTransistor 2SA1169 potencia.
Información Básica
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje V (br) ceo: 200 V
- Transición de frecuencia ft: 20 MHz
- Disipación de potencia Pd: 15 0W
- Corriente del colector DC: 15 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 30 hFE
- Encapsulado: TB-35
- 3 pines
-
$2,00Vista rápida
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 250 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking G)
- FT: 300 MHz típico
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Código de marcado: C945
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SA733
- Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí
Hoja de datos:
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
-
$2,00Vista rápida
El DS18B20 es un sensor digital de temperatura con encapsulado de tipo TO-92 similar al empleado en transistores pequeños. Con este sensor puedes medir temperatura desde los -55°C hasta los 125°C y con una resolución programable desde 9 bits hasta 12 bits.
-
Vista rápida
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
-
$2,90Vista rápida
El 2N2222 NPN es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”, formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El 2N2222 NPN esta protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.